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传美国施压取消台积电南京扩产

文章出处:霍尔元件 人气:发表时间:2021-07-13 11:27
台积电今年4月宣布,将斥资28亿美元扩建南京厂,据台积电计划,南京厂将以28纳米和其他技术水平较低制程生产汽车芯片,营运启动时间将落在2022年第2季至2023年1月。
 
而台积电有意扩大旗下大陆南京厂芯片产能的计划,引发美国疑虑。
 
美国政府担心台积电这项计划对北京推动芯片自足企图心的潜在助益,正施压取消。 台积电昨(11)日回应,这是陆媒6月中旬的报导,目前逢公司法说会前缄默期,不回应市场传言。
 
 
据了解,市场会有台积电南京厂扩产遭美方施压的传言,起因于先前美国要求荷商ASML生产的半导体晶圆制造关键显影设备不得销售大陆,借此阻挠以中芯国际为首的大陆晶圆制造业者势力扩大。
 
由于台积电南京厂主要以成熟制程为主,使用的是DUV设备,引起市场联想美方施压,导致台积电南京厂无法扩产,不过事后证实,ASML仅EUV设备限制出售给大陆,DUV设备不受影响,台积电南京厂仍可顺利取得DUV设备扩产。
 
外电媒体报道,美国比起实际利益更重视产业霸权地位,是该国对台积电施加压力的原因。 台积电是美国和中国大陆贸易纠纷重要一环,该公司调整计划,可望成为美国阻止三星电子、格芯(GLOBALFOUNDRIES)和其他公司在中国大陆兴建晶圆代工厂的工具。
 
台积电扩建南京厂的目标月产能为4万片。 台积电财报资料显示,南京厂2019年营运顺利转盈,去年获利超过新台币120亿元,但占台积电整体获利比重不到3%。
 
海外布局方面,台积电已开始在美国亚利桑那州建5纳米厂,预计2024年量产、月产能2万片,并决定在日本茨城县筑波市设立材料研发中心、预计今年完成,将可加强和日本生态系伙伴在三维芯片(3DIC)材料方面探索。